內(nèi)存類型中SRAM和DRAM什么區(qū)別？
內(nèi)存類型中SRAM和DRAM什么區(qū)別？
SRAM存儲元件所用MOS管多，占硅片面積大，因而功耗大，集成度低;DRAM存儲元件所用MOS管少，占硅片面積小，因而功耗小，集成度很高;
SRAM采用一個正負反饋觸發(fā)器電路來存儲信息，所以只要直流供電電源一直加在電路上，就能一直保持記憶狀態(tài)不變，所以無需刷新。DRAM采用電容存儲電荷來存儲信息，會發(fā)生漏電現(xiàn)象，所以要使?fàn)顟B(tài)保持不變，必須定時刷新;因為讀操作會使?fàn)顟B(tài)發(fā)生改變，故需讀后再生。
SRAM不會因為讀操作而使?fàn)顟B(tài)發(fā)生改變，故無需讀后再生，特別是它的讀寫速度快，其存儲原理可看作是對帶時鐘的RS觸發(fā)器的讀寫過程。
DRAM因為特別是它的讀寫速度相對SRAM元件要慢的多，其存儲原理可看作是對電容充、放電的過程。
SRAM價格比較昂貴，因而適合做高速小容量的半導(dǎo)體存儲器，如Cache。相比于SRAM、DRAM價格較低，因而適合做慢速大容量的半導(dǎo)體存儲器，如主存。有三種刷新方式：集中、分散和異步。
擴展資料：
靜態(tài)隨機存取存儲器（Static?Random-Access?Memory，SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。
然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失（被稱為volatile memory），這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
簡述SRAM和DRAM的區(qū)別？
1、SRAM存儲一位需要花6個晶體管，而DRAM只需要花一個電容和一個晶體管。cache追求的是速度所以選擇SRAM，而內(nèi)存則追求容量所以選擇能夠在相同空間中存放更多內(nèi)容并且造價相對低廉的DRAM。
2、SRAM和DRAM的尋址方式也有所不同。
雖然通常我們都認為內(nèi)存像一個長長的數(shù)組呈一維排列，但實際上內(nèi)存是以一個二維數(shù)組的形式排列的，每個單元都有其行地址和列地址，當(dāng)然cache也一樣。
而這兩者的不同在于對于容量較小的SRAM，我們可以將行地址和列地址一次性傳入到SRAM中，而如果我們對DRAM也這樣做的話，則需要很多很多根地址線（容量越大，地址越長，地址位數(shù)越多）。所以我們選擇分別傳送行地址和列地址到DRAM中。
先選中一整行，然后將整行數(shù)據(jù)存到一個鎖存器中，等待列地址的傳送然后選中所需要的數(shù)據(jù)。
這也是為什么SRAM比DRAM快的原因之一。
3、從名字上看，SRAM與DRAM的常識要學(xué)區(qū)別只在于一個是靜態(tài)一個是動態(tài)。由于SRAM不需要刷新電路就能夠保存數(shù)據(jù)，所以具有靜止存取數(shù)據(jù)的作用。
而DRAM則需要不停地刷新電路，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)將會消失。
簡述sram和dram的主要區(qū)別
DRAM，動態(tài)隨機存取存儲器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù)。 而且是行列地址復(fù)用的，許多都有頁模式。
SRAM，靜態(tài)的隨機存取存儲器，加電情況下，不需要刷新，數(shù)據(jù) 不會丟失，而且，一般不是行列地址復(fù)用的。
SDRAM，同步的DRAM，即數(shù)據(jù)的讀寫需要時鐘來同步。 DRAM和SDRAM由于實現(xiàn)工藝問題，容量較SRAM大。但是讀寫速度不如SRAM，但是現(xiàn)在，SDRAM的速度也已經(jīng)很快了，時鐘好像已經(jīng)有150兆的了。那么就是讀寫周期小于10ns了。
SDRAM雖然工作頻率高，但是實際吞吐率要打折扣。以PC133為例，它的時鐘周期是7.5ns，當(dāng)CAS latency=2 時，它需要12個周期完成8個突發(fā)讀操作，10個周期完成8個突發(fā)寫操作。不過，如果以交替方式訪問Bank，SDRAM可以在每個周期完成一個讀寫操作（當(dāng)然除去刷新操作）。
其實現(xiàn)在的主流高速存儲器是SSRAM（同步SRAM）和SDRAM（同步DRAM）。目前可以方便買到的SSRAM**容量是8Mb/片，**工作速度是166MHz;可以方便買到的SDRAM**容量是128Mb/片，**工作速度是133MHz。 SRAM是Static Random Access Memory的縮寫，中文含義為靜態(tài)隨機訪問存儲器，它是一種類型的半導(dǎo)體存儲器。
“靜態(tài)”是指只要不掉電，存儲在SRAM中的數(shù)據(jù)就不會丟失。這一點與動態(tài)RAM（DRAM）不同，DRAM需要進行周期性的刷新操作。 然后，我們不應(yīng)將SRAM與只讀存儲器（ROM）和Flash Memory相混淆，因為SRAM是一種易失性存儲器，它只有在電源保持連續(xù)供應(yīng)的情況下才能夠保持數(shù)據(jù)。
“隨機訪問”是指存儲器的內(nèi)容可以以任何順序訪問，而不管前一次訪問的是哪一個位置。 SRAM中的每一位均存儲在四個晶體管當(dāng)中，這四個晶體管組成了兩個交叉耦合反向器。這個存儲單元具有兩個穩(wěn)定狀態(tài)，通常表示為0和1。另外還需要兩個訪問晶體管用于控制讀或?qū)懖僮鬟^程中存儲單元的訪問。
因此，一個存儲位通常需要六個MOSFET。對稱的電路結(jié)構(gòu)使得SRAM的訪問速度要快于DRAM。SRAM比DRAM訪問速度快的另外一個原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM則使用行地址和列地址復(fù)用的結(jié)構(gòu)。 SRAM不應(yīng)該與SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM（Synchronous DRAM），這與SRAM是完全不同的。
SRAM也不應(yīng)該與PSRAM相混淆，PSRAM是一種偽裝成SRAM的DRAM。 從晶體管的類型分，SRAM可以分為雙極性與CMOS兩種。從功能上分，SRAM可以分為異步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。異步SRAM的訪問獨立于時鐘，數(shù)據(jù)輸入和輸出都由地址的變化控制。
同步SRAM的所有訪問都在時鐘的上升/下降沿啟動。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號均于時鐘信號相關(guān)。 DRAM：動態(tài)隨機存取存儲器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù)。
而且是行列地址復(fù)用的，許多都有頁模式 。SRAM：靜態(tài)的隨機存取存儲器，加電情況下，不需要刷新，數(shù)據(jù)不會丟失，而且，一般不是行列地址復(fù)用的。 SDRAM：同步的DRAM，即數(shù)據(jù)的讀寫需要時鐘來同步。
主要是存儲單元結(jié)構(gòu)不同導(dǎo)致了容量的不同。一個DRAM存儲單元大約需要一個晶體管和一個電容（不包括行讀出放大器等），而一個SRAM存儲單元大約需要六個晶體管。DRAM和SDRAM由于實現(xiàn)工藝問題，容量較SRAM大，但是讀寫速度不如SRAM。 一個是靜態(tài)的，一個是動態(tài)的，靜態(tài)的是用的雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來保存信息，而動態(tài)的是用電子，要不時的刷新來保持。
內(nèi)存（即隨機存貯器RAM）可分為靜態(tài)隨機存儲器SRAM，和動態(tài)隨機存儲器DRAM兩種。我們經(jīng)常說的“ 內(nèi)存”是指DRAM。而SRAM大家卻接觸的很少。
SRAM其實是一種非常重要的存儲器，它的用途廣泛。SRAM的速度非?？?，在快速讀取和刷新時能夠保持數(shù)據(jù)完整性。SRAM內(nèi)部采用的是雙穩(wěn)態(tài)電路的形式來存儲數(shù)據(jù)。所以SRAM的電路結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜。
制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因為如此，才使其發(fā)展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU 內(nèi)部的一級緩存以及內(nèi)置的二級緩存。
僅有少量的**服務(wù)器以及路由器上能夠使用SRAM。
SRAM和DRAM的**區(qū)別是什么？
SRAM和DRAM的**區(qū)別是1、A）機器掉電后，SRAM的信息可以保存，而DRAM的信息丟失B）機器掉電后，DRAM的信息可以保存，而SRAM的信息丟失C）SRAM需要周期性地刷新，而DRAM不需要D）DRAM需要周期性地刷新，而SRAM不需要/2新鮮訊息、DRAM是用PN結(jié)電容存儲0/1的，由于漏電的存在，時間長了兩級板電位差會消失也就是1會變成0，所以過一段時間需要根據(jù)里面的內(nèi)容補充電荷，這叫刷新。刷新過程中不能讀寫。
SDRAM是DRAM的一種，增加了同步時鐘，提高了讀寫速率。
從原理來說現(xiàn)在的DDR3也是SDRAM的一種。不過約定俗成的說法是SDRAM只包含最早的單倍速讀寫SDRAMSARM存儲數(shù)據(jù)的單元是D觸發(fā)器，這種雙穩(wěn)態(tài)電路的0/1狀態(tài)都是穩(wěn)定的所以不需要刷新，只要有電就能一直存下去。3、從省電的角度來說，DRAM/SDRAM要刷新比較費電，而省電設(shè)計的SRAM只要一個紐扣電池就可以保存數(shù)年之久4從存儲密度來說，DRAM/SDRAM每個bit需要一個晶體管，而SRAM最少需要4個，高速SRAM需要6個以上，而且由于晶體管之間的互聯(lián)SRAM復(fù)雜得多，占了很大的空間，所以同制程的SRAM容量要小的多。5、從速度來說，DRAM/SDRAM需要刷新和回寫，極速比走進科學(xué)不上SRAM。
dram和sram的區(qū)別
1、RAM共有兩大類，分別是SRAM和DRAM，SRAM的讀寫速度非?？?，但是在價格方面會非常昂貴，而DRAM保留數(shù)據(jù)的時間非常短，讀寫速度也比SRAM慢，不過它還是比任何ROM要快，價格也比較便宜，所以在計算機中普遍使用。2、電腦使用技巧：1.更改電腦電源設(shè)置–我們需要打開電腦的“控制面板”應(yīng)用，然后打開“硬件和聲音”選項，接著打開“電源”選項，之后找到正在使用的電源**，點擊其右邊的“更該**設(shè)置”選項。
3、2、創(chuàng)建還原點的方法如下–首先進入電腦桌面，直接在屏幕左下角的搜索欄中輸入“設(shè)置還原點”，然后點擊該選項，之后根據(jù)提示創(chuàng)建一個還原點即可。
4、如果設(shè)置了還原點，那么您可以在電腦設(shè)置中打開“更新與安全”選項，進入后點擊“恢復(fù)”選項，之后就可以將設(shè)置恢復(fù)到昨天了。5、3、主機啟動后鍵盤鼠標(biāo)都不亮–可能是系統(tǒng)的驅(qū)動的問題，用戶可以嘗試安裝驅(qū)動精靈或者相關(guān)驅(qū)動工具來檢測驅(qū)動是否有異常，或者將驅(qū)動卸載再重新安裝，然后查看鼠標(biāo)和鍵盤是否恢復(fù)正常。
計算機的“dram”和“sram”分別是什么意思，有什么區(qū)別？
按照存儲信息的不同，隨機存儲器分為靜態(tài)隨機存儲器（Static RAM,SRAM)和動態(tài)隨機存儲器（Dynamic RAM,DRAM)。\\x0d\\x0a\\x0d\\x0a靜態(tài)存儲單元（SRAM）\\x0d\\x0a●存儲原理：由觸發(fā)器存儲數(shù)據(jù)\\x0d\\x0a●單元結(jié)構(gòu)：六管NMOS或OS構(gòu)成\\x0d\\x0a●優(yōu)點：速度快、使用簡單、不需刷新、靜態(tài)功耗極低;常用作Cache\\x0d\\x0a●缺點：元件數(shù)多、集成度低、運行功耗大\\x0d\\x0a●常用的SRAM集成芯片：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位)\\x0d\\x0a\\x0d\\x0a動態(tài)存儲單元（DRAM）\\x0d\\x0a●存貯原理：利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元;現(xiàn)在：單管基本單元）\\x0d\\x0a●刷新(再生)：為及時補充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失，必須定時給柵極電容補充電荷的操作\\x0d\\x0a●刷新時間：定期進行刷新操作的時間。
該時間必須小于柵極電容自然保持信息的時間（小于2ms）。
\\x0d\\x0a●優(yōu)點： 集成度遠高于SRAM、功耗低，價格也低\\x0d\\x0a●缺點：因需刷新而使外圍電路復(fù)雜;刷新也使存取速度較DRAM慢，所以在計算機中，SRAM常用于作主存儲器。\\x0d\\x0a盡管如此，由于DRAM[1]存儲單元的結(jié)構(gòu)簡單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以目前已成為大容量RAM的主**品。
