科普中國(guó)學(xué)生怎樣注冊(cè):在量子點(diǎn)成核或生長(zhǎng)過(guò)程中摻入另一種過(guò)渡金屬離子

科普中國(guó)學(xué)生怎樣注冊(cè)-相關(guān)

導(dǎo)讀2022年1月14整理發(fā)布:在量子點(diǎn)成核或生長(zhǎng)過(guò)程中摻入另一種過(guò)渡金屬離子,根據(jù)摻入量和合成方法等差異性,可能得到摻雜量子點(diǎn)、合金或核殼...

2022年1月14整理發(fā)布:在量子點(diǎn)成核或生長(zhǎng)過(guò)程中摻入另一種過(guò)渡金屬離子,根據(jù)摻入量和合成方法等差異性,可能得到摻雜量子點(diǎn)、合金或核殼結(jié)構(gòu)等雜化量子點(diǎn)。這樣可以改變量子點(diǎn)光學(xué)和電學(xué)性質(zhì),實(shí)現(xiàn)了量子點(diǎn)在整個(gè)可見(jiàn)光范圍的發(fā)光。

Ag2S-CdS核殼結(jié)構(gòu)水溶性量子點(diǎn)的制備:

科普中國(guó)學(xué)生怎樣注冊(cè)-制備

1使用谷胱甘肽(GSH)作為表面活性劑,采用兩步法,生成Ag2S核,再生成CdS,得到Ag2S-CdS核殼結(jié)構(gòu)水溶性量子點(diǎn)。

2用XRD,TEM,HRTEM和EDS研究了產(chǎn)物的結(jié)構(gòu),形貌和組分,用紫外可見(jiàn)吸收光譜和熒光發(fā)射光譜研究了所得量子點(diǎn)的光學(xué)性質(zhì)

3考察了應(yīng)時(shí)間、GSH的量、Ag和S源前驅(qū)物的含量對(duì)量子點(diǎn)光學(xué)性質(zhì)的影響。

結(jié)論:量子點(diǎn)穩(wěn)定性好,熒光壽命長(zhǎng),可在710~718 nm近紅外區(qū)域發(fā)光。在核生長(zhǎng)過(guò)程中,Ag和S源的含量同時(shí)影響量子點(diǎn)的發(fā)光位置和強(qiáng)度,而GSH量和殼層生長(zhǎng)中S源的量幾乎只影響近紅外發(fā)光強(qiáng)度,發(fā)光位置保持不變。不同的量子點(diǎn)光學(xué)性質(zhì)可能來(lái)源于量子點(diǎn)中組分及表面缺陷的分布。

科普中國(guó)學(xué)生怎樣注冊(cè)-得到

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科普中國(guó)學(xué)生怎樣注冊(cè)-發(fā)光

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偶氮苯類(lèi)液晶修飾的CdSe/ZnS核殼量子點(diǎn)

硫化鋅包被CdSe/ZnS量子點(diǎn)

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辛胺修飾CdSe/ZnS量子點(diǎn)

聚酰胺-胺型樹(shù)狀大分子修飾CdSe/ZnS量子點(diǎn)

功能肽RGDC修飾CdSe/ZnS量子點(diǎn)

c(RGDyk)環(huán)肽修飾CdSe/ZnS量子點(diǎn)

科普中國(guó)學(xué)生怎樣注冊(cè)-液晶

巰基乙酸(TGA)和十六烷基三甲基溴化胺(CTMAB)修飾CdSe/ZnS量子點(diǎn)

瑞禧生物WFF.2022.1