手機(jī)閃存是什么意思？

手機(jī)閃存是什么意思？

閃存就是我們用來存儲(chǔ)歌曲、視頻等的東西，閃存比硬盤要小。\\x0d\\x0a\\x0d\\x0a1、手機(jī)閃存就是可以用來記錄數(shù)據(jù)的空間，關(guān)機(jī)后也不會(huì)丟失。

你安裝軟件等都會(huì)占用閃存。

\\x0d\\x0a2、ram是可讀存儲(chǔ)器。即是指內(nèi)存。是隨著手機(jī)運(yùn)行程序即時(shí)的進(jìn)行擦寫的。關(guān)機(jī)后數(shù)據(jù)不會(huì)保存。

\\x0d\\x0a4、rom是只讀存儲(chǔ)器。這是類數(shù)據(jù)已經(jīng)固化在芯片中的存儲(chǔ)器。數(shù)據(jù)無法更改，用來存儲(chǔ)固件數(shù)據(jù)和信息等。

\\x0d\\x0a5、閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。\\x0d\\x0a6、這里我們還需要端正一個(gè)概念，那就是閃存的速度其實(shí)很有限，它本身操作速度、頻率就比內(nèi)存低得多，而且NAND型閃存類似硬盤的操作方式效率也比內(nèi)存的直接訪問方式慢得多。

因此，不要以為閃存盤的性能瓶頸是在接口，甚至想當(dāng)然地認(rèn)為閃存盤采用USB2.0接口之后會(huì)獲得巨大的性能提升。

手機(jī)里用的閃存卡都有哪些？（只要手機(jī)里用的）

moto大部分使用的是micro SD卡，也就是T-flash卡，如L7,K1，而E2用的是標(biāo)準(zhǔn)SD卡。三星用TF卡的也較多。

NOKIA大部分用的是MMC卡。

索愛當(dāng)然是用索尼的記憶棒Money Stick，記憶棒有長棒和短棒之分。當(dāng)然還有用miniSD卡的手機(jī)。這其中，SD卡***，體積也**，T-FLASH體積最小，記憶棒最貴。

手機(jī)閃存什么意思呢？

分清楚內(nèi)存和閃存的概念。
一、什么是手機(jī)內(nèi)存
手機(jī)系統(tǒng)內(nèi)存又稱“運(yùn)行內(nèi)存”。

手機(jī)的“內(nèi)存”分為“運(yùn)行內(nèi)存”及“非運(yùn)行內(nèi)存”。

手機(jī)的“運(yùn)行內(nèi)存”相當(dāng)于電腦的內(nèi)存?即RAM。而手機(jī)的“非運(yùn)行內(nèi)存”?相當(dāng)于電腦的硬盤?即ROM。RAM越大?手機(jī)能運(yùn)行多個(gè)程序且流暢?ROM越大?就像硬盤越大?能存放更多的數(shù)據(jù)。 手機(jī)系統(tǒng)內(nèi)存是指手機(jī)運(yùn)行程序時(shí)的內(nèi)存?簡稱運(yùn)存也叫RAM?而另一個(gè)內(nèi)存是用來存儲(chǔ)東西的內(nèi)存?就像8G的MP4一樣,它擁有8G的存儲(chǔ)空間,這種內(nèi)存叫ROM。

二、什么是閃存
閃存： 閃存是采用一種新型內(nèi)存(換句話說就是一種內(nèi)存格式的一種)。閃存有許多種類型，從結(jié)構(gòu)上分主要有AND、NAND、NOR、DiNOR等，其中NAND和NOR是目前最為常見的類型。例如iPhone5所采用的東芝24納米NAND閃存。

閃存具有內(nèi)存可擦可寫可編程的優(yōu)點(diǎn)，還具有寫入的數(shù)據(jù)在斷電后不會(huì)丟失的優(yōu)點(diǎn)。所有被廣泛應(yīng)用用于數(shù)碼相機(jī)，MP3，及移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備。
總結(jié)：我們多指的手機(jī)內(nèi)存就是用來存儲(chǔ)東西的介質(zhì)，而手機(jī)閃存是內(nèi)存里面的一種比較好的存儲(chǔ)類型，在讀寫和存儲(chǔ)上面更具優(yōu)勢(shì)。

閃存都分為哪些種類？

除了主控芯片和緩存芯片以外，PCB板上其余的大部分位置都是NAND Flash閃存芯片了。NAND Flash閃存芯片又分為SLC（單層單元）和MLC（多層單元）NAND閃存：SLC全稱是單層式儲(chǔ)存?(Single Level Cell），因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)簡單，在寫入數(shù)據(jù)時(shí)電壓變化的區(qū)間小，所以壽命較長，傳統(tǒng)的SLC NAND閃存可以經(jīng)受10萬次的讀寫。

而且因?yàn)橐唤M電壓即可驅(qū)動(dòng)，所以英特爾固態(tài)硬盤(15張)其速度表現(xiàn)更好，目前很多高端固態(tài)硬盤都是都采用該類型的Flash閃存芯片。

MLC全稱是多層式儲(chǔ)存（Multi Leveled Cell），它采用較高的電壓驅(qū)動(dòng)，通過不同級(jí)別的電壓在一個(gè)塊中記錄兩組位信息，這樣就可以將原本SLC的記錄密度理論提升一倍。作為目前在固態(tài)硬盤中應(yīng)用最為廣泛的MLC NAND閃存，其**的特點(diǎn)就是以更高的存儲(chǔ)密度換取更低的存儲(chǔ)成本，從而可以獲得進(jìn)入更多終端領(lǐng)域的契機(jī)。不過，MLC的缺點(diǎn)也很明顯，其寫入壽命較短，讀寫方面的能力也比SLC低，**給出的可擦寫次數(shù)僅為1萬次。TLC即Triple-cell-per-bit，由于采用三層存儲(chǔ)單元，因此可以以較低的成本實(shí)現(xiàn)更大的容量。

具體來講，SLC只有兩個(gè)電平狀態(tài)，MLC則為4個(gè)，TLC則多達(dá)8個(gè)，同容量下TLC的Die的尺寸比MLC小33%，因此價(jià)格也便宜了33%。當(dāng)然良品率等因素也會(huì)對(duì)價(jià)格產(chǎn)生影響。由于TLC擁有多達(dá)8個(gè)電平狀態(tài)，因此在電位控制上更加復(fù)雜，特別是寫入速度會(huì)大受影響，延遲增加。

加之如此多的電平狀態(tài)，電子一旦溢出變會(huì)非常容易導(dǎo)致出錯(cuò)，難以控制，這就是為什么需要更強(qiáng)ECC糾錯(cuò)能力的原因，否則TLC閃存的壽命將會(huì)不堪一擊。

什么是內(nèi)存?什么是閃存?

我們平常所提到的計(jì)算機(jī)的內(nèi)存指的是動(dòng)態(tài)內(nèi)存（即DRAM），閃存是基于u**接口和flashmemory閃存芯片存儲(chǔ)介質(zhì)、無需驅(qū)動(dòng)器的存儲(chǔ)器，具有無驅(qū)動(dòng)、速度快、體積小、兼容性好、攜帶方便、容量大、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。

閃存是什么？

閃存 目前主板上的BIOS大多使用Flash Memory制造，翻譯成中文就是\”閃動(dòng)的存儲(chǔ)器\”，通常把它稱作\”快閃存儲(chǔ)器\”，簡稱\”閃存\”。閃存盤是一種移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品，可用于存儲(chǔ)任何格式數(shù)據(jù)文件便于隨身攜帶，是個(gè)人的“數(shù)據(jù)移動(dòng)中心”。

閃存盤采用閃存存儲(chǔ)介質(zhì)（Flash Memory）和通用串行總線（USB）接口，具有輕巧精致、使用方便、便于攜帶、容量較大、安全可靠、時(shí)尚潮流等特征，是大家理想的便攜存儲(chǔ)工具. 我們常說的閃存其實(shí)只是一個(gè)籠統(tǒng)的稱呼，準(zhǔn)確地說它是非易失隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(NVRAM)的俗稱，特點(diǎn)是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲(chǔ)器使用。

而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲(chǔ)器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說的內(nèi)存主要指DRAM，也就是我們熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。閃存也有不同類型，其中主要分為NOR型和NAND型兩大類。閃存的分類 NOR型與NAND型閃存的區(qū)別很大，打個(gè)比方說，NOR型閃存更像內(nèi)存，有獨(dú)立的地址線和數(shù)據(jù)線，但價(jià)格比較貴，容量比較小;而NAND型更像硬盤，地址線和數(shù)據(jù)線是共用的I/O線，類似硬盤的所有信息都通過一條硬盤線傳送一般，而且NAND型與NOR型閃存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型閃存比較適合頻繁隨機(jī)讀寫的場(chǎng)合，通常用于存儲(chǔ)程序代碼并直接在閃存內(nèi)運(yùn)行，手機(jī)就是使用NOR型閃存的大戶，所以手機(jī)的“內(nèi)存”容量通常不大;NAND型閃存主要用來存儲(chǔ)資料，我們常用的閃存產(chǎn)品，如閃存盤、數(shù)碼存儲(chǔ)卡都是用NAND型閃存。

這里我們還需要端正一個(gè)概念，那就是閃存的速度其實(shí)很有限，它本身操作速度、頻率就比內(nèi)存低得多，而且NAND型閃存類似硬盤的操作方式效率也比內(nèi)存的直接訪問方式慢得多。因此，不要以為閃存盤的性能瓶頸是在接口，甚至想當(dāng)然地認(rèn)為閃存盤采用USB2.0接口之后會(huì)獲得巨大的性能提升。 前面提到NAND型閃存的操作方式效率低，這和它的架構(gòu)設(shè)計(jì)和接口設(shè)計(jì)有關(guān)，它操作起來確實(shí)挺像硬盤(其實(shí)NAND型閃存在設(shè)計(jì)之初確實(shí)考慮了與硬盤的兼容性)，它的性能特點(diǎn)也很像硬盤：小數(shù)據(jù)塊操作速度很慢，而大數(shù)據(jù)塊速度就很快，這種差異遠(yuǎn)比其他存儲(chǔ)介質(zhì)大的多。

這種性能特點(diǎn)非常值得我們留意。NAND型閃存的技術(shù)特點(diǎn) 內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(Page)(可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個(gè)扇區(qū)也為512字節(jié))。

每一頁的有效容量是512字節(jié)的倍數(shù)。所謂的有效容量是指用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的部分，實(shí)際上還要加上16字節(jié)的校驗(yàn)信息，因此我們可以在閃存廠商的技術(shù)資料當(dāng)中看到“(512+16)Byte”的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND型閃存絕大多數(shù)是(512+16)字節(jié)的頁面容量，2Gb以上容量的NAND型閃存則將頁容量擴(kuò)大到(2048+64)字節(jié)百科。

NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù)據(jù)，必須先擦除后寫入，因此擦除操作是閃存的基本操作。一般每個(gè)塊包含32個(gè)512字節(jié)的頁，容量16KB;而大容量閃存采用2KB頁時(shí)，則每個(gè)塊包含64個(gè)頁，容量128KB。 每顆NAND型閃存的I/O接口一般是8條，每條數(shù)據(jù)線每次傳輸(512+16)bit信息，8條就是(512+16)×8bit，也就是前面說的512字節(jié)。

但較大容量的NAND型閃存也越來越多地采用16條I/O線的設(shè)計(jì)，如三星編號(hào)K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND型閃存，容量1Gb，基本數(shù)據(jù)單位是(256+8)×16bit，還是512字節(jié)。 尋址時(shí)，NAND型閃存通過8條I/O接口數(shù)據(jù)線傳輸?shù)刂沸畔?，每包傳?位地址信息。由于閃存芯片容量比較大，一組8位地址只夠?qū)ぶ?56個(gè)頁，顯然是不夠的，因此通常一次地址傳送需要分若干組，占用若干個(gè)時(shí)鐘周期。NAND的地址信息包括列地址(頁面中的起始操作地址)、塊地址和相應(yīng)的頁面地址，傳送時(shí)分別分組，至少需要三次，占用三個(gè)周期。

隨著容量的增大，地址信息會(huì)更多，需要占用更多的時(shí)鐘周期傳輸，因此NAND型閃存的一個(gè)重要特點(diǎn)就是容量越大，尋址時(shí)間越長。而且，由于傳送地址周期比其他存儲(chǔ)介質(zhì)長，因此NAND型閃存比其他存儲(chǔ)介質(zhì)更不適合大量的小容量讀寫請(qǐng)求。決定NAND型閃存的因素有哪些？1．頁數(shù)量 前面已經(jīng)提到，越大容量閃存的頁越多、頁越大，尋址時(shí)間越長。但這個(gè)時(shí)間的延長不是線性關(guān)系，而是一個(gè)一個(gè)的臺(tái)階變化的。

譬如128、256Mb的芯片需要3個(gè)周期傳送地址信號(hào)，512Mb、1Gb的需要4個(gè)周期，而2、4Gb的需要5個(gè)周期。2．頁容量 每一頁的容量決定了一次可以傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量，因此大容量的頁有更好的性能。前面提到大容量閃存(4Gb)提高了頁的容量，從512字節(jié)提高到2KB。

頁容量的提高不但易于提高容量，更可以提高傳輸性能。我們可以舉例子說明。以三星K9K1G08U0M和K9K4G08U0M為例，前者為1Gb，512字節(jié)頁容量，隨機(jī)讀(穩(wěn)定)時(shí)間12μs，寫時(shí)間為200μs;后者為4Gb，2KB頁容量，隨機(jī)讀(穩(wěn)定)時(shí)間25μs，寫時(shí)間為300μs。

假設(shè)它們工作在20MHz。 讀取性能：NAND型閃存的讀取步驟分為：發(fā)送命令和尋址信息→將數(shù)據(jù)傳向頁面寄存器(隨機(jī)讀穩(wěn)定時(shí)間)→數(shù)據(jù)傳出(每周期8bit，需要傳送512+16或2K+64次)。 K9K1G08U0M讀一個(gè)頁需要：5個(gè)命令、尋址周期×50ns+12μs+(512+16)×50ns=38.7μs;K9K1G08U0M實(shí)際讀傳輸率：512字節(jié)÷38.7μs=13.2MB/s;K9K4G08U0M讀一個(gè)頁需要：6個(gè)命令、尋址周期×50ns+25μs+(2K+64)×50ns=131.1μs;K9K4G08U0M實(shí)際讀傳輸率：2KB字節(jié)÷131.1μs=15.6MB/s。因此，采用2KB頁容量比512字節(jié)也容量約提高讀性能20%。

寫入性能：NAND型閃存的寫步驟分為：發(fā)送尋址信息→將數(shù)據(jù)傳向頁面寄存器→發(fā)送命令信息→數(shù)據(jù)從寄存器寫入頁面。其中命令周期也是一個(gè)，我們下面將其和尋址周期合并，但這兩個(gè)部分并非連續(xù)的。 K9K1G08U0M寫一個(gè)頁需要：5個(gè)命令、尋址周期×50ns+(512+16)×50ns+200μs=226.7μs。

K9K1G08U0M實(shí)際寫傳輸率：512字節(jié)÷226.7μs=2.2MB/s。K9K4G08U0M寫一個(gè)頁需要：6個(gè)命令、尋址周期×50ns+(2K+64)×50ns+300μs=405.9μs。K9K4G08U0M實(shí)際寫傳輸率：2112字節(jié)/405.9μs=5MB/s。因此，采用2KB頁容量比512字節(jié)頁容量提高寫性能兩倍以上。

3．塊容量 塊是擦除操作的基本單位，由于每個(gè)塊的擦除時(shí)間幾乎相同(擦除操作一般需要2ms，而之前若干周期的命令和地址信息占用的時(shí)間可以忽略不計(jì))，塊的容量將直接決定擦除性能。大容量NAND型閃存的頁容量提高，而每個(gè)塊的頁數(shù)量也有所提高，一般4Gb芯片的塊容量為2KB×64個(gè)頁=128KB，1Gb芯片的為512字節(jié)×32個(gè)頁=16KB?？梢钥闯?，在相同時(shí)間之內(nèi)，前者的擦速度為后者8倍！4．I/O位寬 以往NAND型閃存的數(shù)據(jù)線一般為8條，不過從256Mb產(chǎn)品開始，就有16條數(shù)據(jù)線的產(chǎn)品出現(xiàn)了。

但由于控制器等方面的原因，x16芯片實(shí)際應(yīng)用的相對(duì)比較少，但將來數(shù)量上還是會(huì)呈上升趨勢(shì)的。雖然x16的芯片在傳送數(shù)據(jù)和地址信息時(shí)仍采用8位一組，占用的周期也不變，但傳送數(shù)據(jù)時(shí)就以16。