flash芯片用了年數(shù)多不穩(wěn)定了
flash芯片用了年數(shù)多不穩(wěn)定了
flash芯片用了年數(shù)多不穩(wěn)定了：1、flash有壽命限制，實(shí)驗(yàn)片的實(shí)測次數(shù)超過**手冊上所說的次數(shù)。2、每一個(gè)位的壽命是獨(dú)立的，一個(gè)字節(jié)的bit0失效了，bit1可以正常操作。
3、flash的壽命指的是被改寫的次數(shù)，一次擦除或?qū)懖僮鞑桓淖兡骋粋€(gè)位的內(nèi)容，該位不會被磨損。
4、flash磨損后，總是表現(xiàn)為擦除不干凈，多擦除幾次又能夠擦干凈，隨著磨損程度的加劇，越來越難以擦除干凈，要擦干凈了，寫入是正確的。
報(bào)稅系統(tǒng)的金稅卡FLASH芯片損壞了，具體是什么原因造成的，一次都沒用過，求解！
不要直接相信軟件的報(bào)錯(cuò)信息！很可能這個(gè)FLASH芯片并沒有壞，而是別的原因。FLASH芯片再劣質(zhì)，也不應(yīng)該過幾天就壞。
我這邊是新的金稅盤，月初用過，月底插上想看看記錄顯示“找不到金稅盤”。
但硬件是好的（這個(gè)需要你有硬件知識或由專業(yè)人員判斷），系統(tǒng)正常檢測到設(shè)備。仔細(xì)檢查后，會發(fā)現(xiàn)實(shí)際是驅(qū)動被動了手腳——但不是我們用戶動的，很可能是軟件自己動的。我這是陰謀論了——可能航天信息就是利用這種軟件的問題來脅迫用戶購買他們的硬件和服務(wù)。
存儲專家入，F(xiàn)lash芯片有什么通?。壳蠹兪执颍?！
Flash芯片在寫入數(shù)據(jù)的時(shí)候有諸多效率低下的地方。包括現(xiàn)在常用的U盤以及SSD中的Flash芯片，或者Bios常用的EEPROM，它們都不可避免。
Flash芯片通病有兩個(gè)：1）Erase Before Overwrite:Erase以Block為單位，只需修改某Page時(shí)，要將Block中除此Page外的數(shù)據(jù)讀入SSD的RAM Buffer，再將更新后的Block寫回Flash;2）Wear off：隨著FG放電次數(shù)增多，二氧化硅層的絕緣能力損耗乃至喪失，無法再保證FC中有足夠的電荷，該Cell就為Wear Off。
掉電導(dǎo)致flash數(shù)據(jù)保持時(shí)間
無法確定。在普通的閃存中，數(shù)據(jù)的保持時(shí)間通常為幾年到幾十年，而在一些高品質(zhì)、高性能的閃存中，數(shù)據(jù)的保持時(shí)間可達(dá)數(shù)十年甚至上百年。
但百科是需要注意的是，掉電并不是Flash內(nèi)部的**數(shù)據(jù)損壞原因，F(xiàn)lash芯片的讀寫壽命也會逐漸減少并最終失效。
設(shè)備頻繁上電斷電spi flash數(shù)據(jù)會損壞是什么原因
Fla
什么是flash壞塊
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1）為什么會出現(xiàn)壞塊由于NAND Flash的工藝不能保證NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在NAND的生產(chǎn)中及使用過程中會產(chǎn)生壞塊。壞塊的特性是：當(dāng)編程/擦除這個(gè)塊時(shí)，不能將某些位拉高，這會造成Page Program和Block Erase操作時(shí)的錯(cuò)誤，相應(yīng)地反映到Status Register的相應(yīng)位。
2）壞塊的分類總體上，壞塊可以分為兩大類（1） 固有壞塊這是生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的壞塊，一般芯片原廠都會在出廠時(shí)都會將壞塊**個(gè)page的spare area的第6個(gè)byte標(biāo)記為不等于0xff的值。
（2） 使用壞塊這是在NAND Flash使用過程中，如果Block Erase或者Page Program錯(cuò)誤，就可以簡單地將這個(gè)塊作為壞塊來處理，這個(gè)時(shí)候需要把壞塊標(biāo)記起來。為了和固有壞塊信息保持一致，將新發(fā)現(xiàn)的壞塊的**個(gè)page的spare area的第6個(gè)Byte標(biāo)記為非0xff的值。3）壞塊管理根據(jù)上面的這些敘述，可以了解NAND Flash出廠時(shí)在spare area中已經(jīng)反映出了壞塊信息，因此，如果在擦除一個(gè)塊之前，一定要先check一下spare area的第6個(gè)byte是否是0xff，如果是就證明這是一個(gè)好塊，可以擦除;如果是非0xff，那么就不能擦除。當(dāng)然，這樣處理可能會犯一個(gè)錯(cuò)誤―――“錯(cuò)殺偽壞塊”，因?yàn)樵谛酒僮鬟^程中可能由于電壓不穩(wěn)定等偶然因素會造成NAND操作的錯(cuò)誤。
但是，為了數(shù)據(jù)的可靠性及軟件設(shè)計(jì)的簡單化，我們就要奉行“蔣委員長”的“寧可錯(cuò)殺一千，也決不放過一個(gè)”的宗旨。4）補(bǔ)充（1）需要對前面由于Page Program錯(cuò)誤發(fā)現(xiàn)的壞塊進(jìn)行一下特別說明。如果在對一個(gè)塊的某個(gè)page進(jìn)行編程的時(shí)候發(fā)生了錯(cuò)誤就要把這個(gè)塊標(biāo)記為壞塊，首先就要把其他好的page里面的內(nèi)容備份到另外一個(gè)空的好塊里面，然后，把這個(gè)塊標(biāo)記為壞塊。
當(dāng)然，這可能會犯“錯(cuò)殺”之誤，一個(gè)補(bǔ)救的辦法，就是在進(jìn)行完頁備份之后，再將這個(gè)塊擦除一遍，如果Block Erase發(fā)生錯(cuò)誤，那就證明這個(gè)塊是個(gè)真正的壞塊，那就毫不猶豫地將它打個(gè)“戳”吧?。?）可能有人會問，為什么要使用spare area的第六個(gè)byte作為壞塊標(biāo)記。這是NAND Flash生產(chǎn)商的默認(rèn)約定，你可以看到Samsung,Toshiba,STMicroelectronics都是使用這個(gè)Byte作為壞塊標(biāo)記的。
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