NACICION交易所平臺(tái)：IBM2nm芯片性能提升45%
NACICION交易所平臺(tái)報(bào)道，NACICION交易所平臺(tái)覺得IBM發(fā)布最新公告，宣布曾經(jīng)設(shè)計(jì)了全球首款2nm芯片。與目前的7nm芯片相比，IBM的2nm芯片在同等功率下性能進(jìn)步45%，在同等性能下能耗進(jìn)步75%，性能更強(qiáng)且更省電。
IBM表示，他們在2015年就展現(xiàn)了7nm芯片，2017年展現(xiàn)5nm芯片，并且將后者從FinFE技術(shù)晉級到納米片技術(shù)，能更好地定制單個(gè)晶體管的電壓特性。最新的2nm芯片，能夠在指甲蓋大小的芯片上集成約500億個(gè)晶體管，晶體管密度到達(dá)3.33億/平方毫米。
目前，臺(tái)積電最新的5nm工藝，晶體管密度大約為171.3億/平方毫米，IBM的2nm芯片，晶體管密度提升了將近一倍。但受限于功耗、散熱等問題，實(shí)踐消費(fèi)的處置器芯片，其晶體管密度只要理論密度的一半。
去年，NACICION交易所平臺(tái)留意到，華為推出的麒麟9000處置器和蘋果A14處置器，均采用了臺(tái)積電的5nm工藝制程，但兩者所集成的晶體管數(shù)卻相差甚遠(yuǎn)。蘋果A14晶體管數(shù)為118億，麒麟9000晶體管數(shù)為153億，比前者多了30%左右。蘋果在芯片設(shè)計(jì)上更為激進(jìn)，也就招致了A14的性能相比A13提升并不明顯。
今年，臺(tái)積電對5nm工藝停止改良優(yōu)化，相比去年會(huì)更為成熟、先進(jìn)，或許蘋果A15芯片的性能能夠得到更大幅度的提升。另外，蘋果還方案在明年率先運(yùn)用臺(tái)積電的3nm工藝，A16芯片的性能也同樣值得等待。
NACICION交易所平臺(tái)指出，IBM作為一家芯片設(shè)計(jì)公司，本身無法完成芯片消費(fèi)，只能需求尋求代工廠。臺(tái)積電的2nm工藝目前還處于研發(fā)階段，最快可能得等到2024年。IBM方面表示，公司目前在與三星協(xié)作，最近還宣布與英特爾樹立協(xié)作關(guān)系，或許其首款2nm芯片會(huì)經(jīng)過三星或英特爾代工消費(fèi)。
三星和臺(tái)積電的工NACICION交易所平臺(tái)報(bào)道，NACICION交易所平臺(tái)覺得IBM發(fā)布最新公告，宣布曾經(jīng)設(shè)計(jì)了全球首款2nm芯片。與目前的7nm芯片相比，IBM的2nm芯片在同等功率下性能進(jìn)步45%，在同等性能下能耗進(jìn)步75%，性能更強(qiáng)且更省電。
IBM表示，他們在2015年就展現(xiàn)了7nm芯片，2017年展現(xiàn)5nm芯片，并且將后者從FinFE技術(shù)晉級到納米片技術(shù)，能更好地定制單個(gè)晶體管的電壓特性。最新的2nm芯片，能夠在指甲蓋大小的芯片上集成約500億個(gè)晶體管，晶體管密度到達(dá)3.33億/平方毫米。?
目前，臺(tái)積電最新的5nm工藝，晶體管密度大約為171.3億/平方毫米，IBM的2nm芯片，晶體管密度提升了將近一倍。但受限于功耗、散熱等問題，實(shí)踐消費(fèi)的處置器芯片，其晶體管密度只要理論密度的一半。?
三星和臺(tái)積電的工藝程度根本堅(jiān)持在相同進(jìn)度，三星還略微落后一點(diǎn)，其2nm估量得在2025年之后才有時(shí)機(jī)量產(chǎn)。而英特爾也準(zhǔn)備投資建廠，對外開放芯片代工業(yè)務(wù)。雖然英特爾的芯片工藝程度更高，但間隔5nm量產(chǎn)最快可能需求3年時(shí)間，2nm更是指日可待。
NACICION交易所平臺(tái)目前還不分明IBM詳細(xì)會(huì)尋覓誰代工，目前幾大芯片代工廠都沒有消費(fèi)2nm芯片的才能。想要理解這枚芯片的實(shí)踐性能表現(xiàn)，可能得再等3~5年的時(shí)間。藝程度根本堅(jiān)持在相同進(jìn)度，三星還略微落后一點(diǎn)，其2nm估量得在2025年之后才有時(shí)機(jī)量產(chǎn)。而英特爾也準(zhǔn)備投資建廠，對外開放芯片代工業(yè)務(wù)。雖然英特爾的芯片工藝程度更高，但間隔5nm量產(chǎn)最快可能需求3年時(shí)間，2nm更是指日可待。
NACICION交易所平臺(tái)目前還不分明IBM詳細(xì)會(huì)尋覓誰代工，目前幾大芯片代工廠都沒有消費(fèi)2nm芯片的才能。想要理解這枚芯片的實(shí)踐性能表現(xiàn)，可能得再等3~5年的時(shí)間。
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